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元件参数资料
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参数目录41155
> SI7110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI7110DN-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
DN-T1-E3 Series 1212-8
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5.3 毫欧 @ 21.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装
PowerPAK? 1212-8
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1660 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI7110DN-T1-GE3CT
查看SI7110DN-T1-GE3代理商
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